Vplyv vysokovýkonnej diódy z karbidu kremíka na PIN fotodetektor
Vysokovýkonná PIN dióda z karbidu kremíka bola vždy jedným z hotspotov v oblasti výskumu energetických zariadení.PIN dióda je kryštálová dióda skonštruovaná vložením vrstvy vlastného polovodiča (alebo polovodiča s nízkou koncentráciou nečistôt) medzi oblasť P+ a oblasť n+.I v PIN je anglická skratka pre význam „intrinsic“, pretože je nemožné existovať čistý polovodič bez nečistôt, takže I vrstva PIN diódy v aplikácii je viac-menej zmiešaná s malým množstvom P. nečistoty typu alebo N.V súčasnosti PIN dióda z karbidu kremíka využíva hlavne štruktúru Mesa a rovinnú štruktúru.
Keď pracovná frekvencia PIN diódy presiahne 100 MHz, kvôli ukladaciemu efektu niekoľkých nosičov a efektu doby prechodu vo vrstve I, dióda stráca usmerňovací efekt a stáva sa impedančným prvkom a jej hodnota impedancie sa mení s predpätím.Pri nulovej odchýlke alebo spätnej odchýlke DC je impedancia v oblasti I veľmi vysoká.Pri jednosmernom predpätí predstavuje oblasť I stav nízkej impedancie v dôsledku vstrekovania nosiča.Preto je možné PIN diódu použiť ako prvok s premenlivou impedanciou, v oblasti mikrovlnného a RF riadenia je často potrebné použiť spínacie zariadenia na dosiahnutie prepínania signálu, najmä v niektorých centrách riadenia vysokofrekvenčných signálov majú PIN diódy nadštandardné Možnosti riadenia RF signálu, ale tiež široko používané vo fázovom posune, modulácii, obmedzovaní a iných obvodoch.
Vysokovýkonná dióda z karbidu kremíka je široko používaná v silovom poli, pretože má vynikajúce charakteristiky napäťového odporu, používa sa hlavne ako vysokovýkonná usmerňovacia trubica.PIN dióda má vysoké reverzné kritické prierazné napätie VB v dôsledku nízkej dopingovej i vrstvy v strede nesúcej hlavný pokles napätia.Zväčšenie hrúbky zóny I a zníženie dopingovej koncentrácie zóny I môže účinne zlepšiť spätné prierazné napätie PIN diódy, ale prítomnosť zóny I zlepší pokles napätia vpred VF celého zariadenia a spínací čas zariadenia. do určitej miery a dióda vyrobená z materiálu karbidu kremíka môže tieto nedostatky kompenzovať.Karbid kremíka 10-násobok kritického prierazného elektrického poľa kremíka, takže hrúbka zóny diódy I z karbidu kremíka môže byť znížená na jednu desatinu kremíkovej trubice pri zachovaní vysokého prierazného napätia v spojení s dobrou tepelnou vodivosťou materiálov z karbidu kremíka , nebudú žiadne zjavné problémy s odvodom tepla, takže vysokovýkonná dióda z karbidu kremíka sa stala veľmi dôležitým usmerňovacím zariadením v oblasti modernej výkonovej elektroniky.
Vďaka veľmi malému spätnému zvodovému prúdu a vysokej mobilite nosiča majú diódy z karbidu kremíka veľkú príťažlivosť v oblasti fotoelektrickej detekcie.Malý zvodový prúd môže znížiť tmavý prúd detektora a znížiť hluk;Vysoká mobilita nosiča môže účinne zlepšiť citlivosť PIN detektora karbidu kremíka (PIN Photodetector).Vysokovýkonné charakteristiky diód z karbidu kremíka umožňujú PIN detektorom detekovať silnejšie svetelné zdroje a sú široko používané vo vesmírnom poli.Vysokovýkonná dióda z karbidu kremíka bola venovaná pozornosť kvôli jej vynikajúcim vlastnostiam a jej výskum bol tiež značne rozvinutý.
Čas odoslania: 13. októbra 2023