Minulý rok tím Shenga Zhigaa, výskumníka z Centra vysokého magnetického poľa Hefei Institute of Physical Sciences, Čínska akadémia vied, vyvinul aktívny a inteligentný terahertzový elektrooptický modulátor, ktorý sa spolieha na experiment s ustáleným vysokým magnetickým poľom. zariadenie. Výskum je publikovaný v ACS Applied Materials & Interfaces.
Hoci terahertzová technológia má vynikajúce spektrálne charakteristiky a široké aplikačné vyhliadky, jej inžinierska aplikácia je stále vážne obmedzená vývojom terahertzových materiálov a terahertzových komponentov. Medzi nimi je aktívne a inteligentné riadenie terahertzovej vlny vonkajším poľom dôležitým smerom výskumu v tejto oblasti.
Výskumný tím so zameraním na špičkový smer výskumu komponentov terahertzového jadra vynašiel modulátor terahertzového napätia založený na dvojrozmernom materiáli graféne [Adv. Optická hmota. 6, 1700877(2018)], terahertzový širokopásmový fotoriadený modulátor založený na silne asociovanom oxide [ACS Appl. Mater. Inter. 12, po 48811 (2020)] a fonónovom novom jednofrekvenčnom magneticky riadenom terahertzovom zdroji [Advanced Science 9, 2103229(2021)], ako funkčná vrstva, viacvrstvová štruktúra je vybraný súvisiaci film oxidu vanadičného elektrónového bol prijatý dizajn a spôsob elektronického riadenia. Dosahuje sa multifunkčná aktívna modulácia terahertzového prenosu, odrazu a absorpcie (obrázok a). Výsledky ukazujú, že okrem priepustnosti a absorpcie môže byť fáza odrazu a odrazu aktívne regulovaná aj elektrickým poľom, v ktorom môže hĺbka modulácie odrazivosti dosiahnuť 99,9 % a fáza odrazu môže dosiahnuť moduláciu ~ 180o (obrázok b). . Zaujímavejšie je, že na dosiahnutie inteligentného terahertzového elektrického ovládania výskumníci navrhli zariadenie s novou spätnou väzbou „terahertz – elektrický terahertz“ (obrázok c). Bez ohľadu na zmeny štartovacích podmienok a vonkajšieho prostredia dokáže inteligentné zariadenie automaticky dosiahnuť nastavenú (očakávanú) hodnotu terahertzovej modulácie približne za 30 sekúnd.
(a) Schematický diagram anelektrooptický modulátorna základe VO2
b) zmeny priepustnosti, odrazivosti, pohltivosti a odrazovej fázy s vloženým prúdom
c) schematický diagram inteligentného riadenia
Vývoj aktívneho a inteligentného terahertzuelektrooptický modulátorzaložený na pridružených elektronických materiáloch poskytuje nový nápad na realizáciu terahertzového inteligentného riadenia. Táto práca bola podporená Národným kľúčovým výskumným a vývojovým programom, Národnou nadáciou pre prírodné vedy a Fondom smerovania laboratórií pre laboratórium vysokého magnetického poľa v provincii Anhui.
Čas odoslania: august-08-2023